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フィンFET
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「なぜトランジスタのレイアウトが今、物理学なのか」ポッドキャスト
アンジェロ・ロッソニ
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7nm FinFETトランジスタにおける応力の発生――ポッドキャスト
アンジェロ・ロッソニ
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7nmレイアウトがトランジスタの性能に与える影響――ポッドキャスト
アンジェロ・ロッソニ
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7nm FinFETにおける3次元応力テンソル - ポッドキャスト
アンジェロ・ロッソニ
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トランジスタの近接が7nmプロセスの性能を低下させる理由――ポッドキャスト
アンジェロ・ロッソニ
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トランジスタの近傍領域がデバイスの物理的挙動に与える影響――ポッドキャスト
アンジェロ・ロッソニ
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デバイス物理から設計支援へ:コンパクトモデリング、DTCO、そして応力関連LLEsの未来
アンジェロ・ロッソニ
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プロセスの選択が変動の調整手段となる時:統合がストレス関連のLLEsに与える影響
アンジェロ・ロッソニ
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シリコンが本当に語ること:拡散断裂、ゲートカット、そして応力関連LLEsのメカニズム
アンジェロ・ロッソニ
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「シリコンデータから予測物理学へ:応力関連LLEsのための3D TCADフレームワークの構築」
アンジェロ・ロッソニ
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レイアウト感度を測定する方法:ストレス関連LLEsの背後にある実験手法
アンジェロ・ロッソニ
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レイアウトがデバイスの物理的特性となる時:先進CMOSにおいて応力関連のLLEsが重要となる理由
アンジェロ・ロッソニ
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