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博客
鳍式场效应晶体管
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《为什么晶体管布局》现已推出物理播客
安杰洛·罗索尼
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7纳米FinFET晶体管中的应力生成——播客
安杰洛·罗索尼
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7纳米布局如何影响晶体管性能——播客
安杰洛·罗索尼
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7纳米FinFET中的3D应力张量——播客
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为什么晶体管间距会拖累7纳米工艺的性能——播客
安杰洛·罗索尼
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晶体管邻域如何改变器件物理特性——播客
安杰洛·罗索尼
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从器件物理到设计赋能:紧凑型建模、DTCO 以及应力相关 LLEs 的未来
安杰洛·罗索尼
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当过程选择成为可变性调节器:整合如何塑造与压力相关的LLEs
安杰洛·罗索尼
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硅片真正的“心声”:扩散断裂、栅极切割与应力相关LLEs的成因
安杰洛·罗索尼
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从硅数据到预测性物理学:构建用于应力相关LLEs的3D TCAD框架
安杰洛·罗索尼
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如何测量布局敏感度:与应力相关的LLEs背后的实验方法
安杰洛·罗索尼
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当布局演变为器件物理特性:为何应力相关LLEs在先进CMOS工艺中至关重要
安杰洛·罗索尼
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