摘要：由于光刻工艺限制和复杂的三维晶体管集成方案，先进CMOS节点中的器件缩放正变得日益困难。这同时也使器件对光刻工艺波动更为敏感。本研究探讨了多晶间距和鳍片间距波动对7纳米FinFET晶体管应力诱导性能变化的影响。光刻过程中关键尺寸（CD）的波动会改变鳍片宽度和间距，从而导致器件特性发生变化。 我们通过全面的测试结构评估器件敏感性，并采用TCAD仿真建模效应。结果证实NMOS与PMOS器件均对多晶间距敏感：NMOS器件驱动电流衰减达13%，PMOS器件驱动电流波动范围为-11%至+7%；同时器件对鳍片间距同样敏感。 这些效应背后的主导机制是应力调制，尤其源于外延生长源/漏区的体积与形状变化。这些发现凸显了机械应力在FinFET性能中的关键作用，并强调了通过间距控制来最小化变异性、优化器件参数目标的重要性。
关键词： FinFET，7纳米工艺，TCAD，多晶间距，鳍片间距，机械应力，晶体管性能
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