摘要——场致导电绝缘体上硅（FDSOI）技术作为替代性器件缩放路径被提出，其优势在于兼具可调谐性、卓越的静电学特性及晶体管性能，同时保持平面集成工艺的简便性。新型器件结构与集成单元给整个技术生命周期中的器件特性表征与工艺监测带来了挑战。本文展示了快速周期电气特性表征技术在推动FDSOI技术迈向量产过程中的成功应用。
关键词——FDSOI，技术开发，良率提升
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