摘要——随着器件尺寸不断缩小，在工艺窗口内实现稳健的OPC部署正变得日益困难。这一挑战对新产品的上市时间和良率产生重大影响。本文描述了一种基于精简OPC验证方法的光刻模拟器校准流程。该新方法成功架设了设计与制造之间的桥梁，既加速了OPC开发进程，又能主动识别可能降低良率的薄弱OPC区域。 该方法包含两步：首先利用自动获取的"硅上"测量数据进行精确的仿真器校准，随后运用校准模型进行全芯片光刻模拟以识别产品潜在热点。该方法还实现了与OPC模型生成的短周期反馈循环，从而提升了OPC优化与验证效果。
关键词：OPC，DFM，热点，CV，特性化车辆，良率