本期播客第2集探讨了现代半导体技术中一个引人入胜的悖论：为何在7纳米级上将晶体管制得越小，性能反而会下降。 讨论围绕一篇博士论文展开，该论文分析了超过30,000个测试器件，揭示了局部布局效应如何破坏FinFET晶体管中精心设计的应变。对话解释了现代芯片如何利用硅锗进行应变工程来提升性能，但扩散断层和栅极切口等附近的隔离结构会缓解这种人为施加的应力，导致PMOS晶体管性能下降高达10%。 主持人详细阐述了这一力学现实如何被转化为预测性设计模型，从而从根本上改变了芯片设计师对布局的思考方式。他们最后指出，悬浮式全栅纳米片晶体管将带来更大的挑战，届时力学敏感性将得到显著放大。