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安傑洛·羅索尼
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為何「電晶體佈局」現已成為物理播客
安傑洛·羅索尼
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7 奈米 FinFET 電晶體中的製造應力——播客
安傑洛·羅索尼
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7奈米佈局如何扭曲電晶體性能——播客
安傑洛·羅索尼
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7 奈米 FinFET 中的 3D 應力張量——播客
安傑洛·羅索尼
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為何電晶體間距過近會影響 7 奈米製程的效能——播客
安傑洛·羅索尼
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「電晶體鄰域如何改變元件物理特性」——播客
安傑洛·羅索尼
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從裝置物理學到設計實現:緊湊型建模、DTCO 以及與應力相關的 LLE 未來發展
安傑洛·羅索尼
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當流程選擇成為變異性調節器:整合如何形塑與壓力相關的 LLE
安傑洛·羅索尼
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矽晶片真正的訊息:擴散斷裂、閘極切口,以及應力相關 LLEs 的結構解析
安傑洛·羅索尼
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從矽資料到預測性物理學:建立用於應力相關 LLEs 的 3D TCAD 框架
安傑洛·羅索尼
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如何測量佈局敏感度:壓力相關 LLE 背後的實驗方法論
安傑洛·羅索尼
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當佈局成為裝置物理:為何應力相關的 LLE 在先進 CMOS 中至關重要
安傑洛·羅索尼
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