偵測肉眼無法察覺的事物
半導體 3D 結構中可能存在難以偵測的埋藏缺陷，導致低電平漏電與波動，進而造成互連電阻及電晶體性能出現顯著變異，使設計週期延長數個月。
但透過 PDF Solutions 的「Design-for-Inspection™」技術，您可以在「生產線中段」的線上檢測過程中發現這些問題，並將產品上市時間縮短多達 4 至 6 個月。
下載DFI 產品規格表
何謂「為檢驗而設計」？
我們的「檢測導向設計系統」（Design-for-Inspection System，簡稱 DFI™ 系統）是一款非接觸式電子束測量系統，能夠以每小時數億個被測裝置（DUT）的速度，檢測埋藏於 3D 結構內部且會影響電學性能的缺陷。其速度之快，足以在半導體製造線的中段進行線上檢測。
及早察覺潛在的可靠性風險
DFI 系統能高效掃描每片晶圓上的數十億個結構，以偵測 PPM 至 PPB 級別的微小漏電，並針對晶粒中的潛在弱點提供獨特的可靠性洞察。該系統可針對單一失效類型，為每個晶粒生成高解析度地圖；或針對所有失效類型生成綜合地圖。這種橫跨所有晶粒的詳細測量，能提供前瞻性洞察，並相較於 GDBN（良晶粒壞鄰域）等粗略方法，能針對每個晶粒進行更精準的風險篩選。
經實際生產驗證
迄今為止，我們的 DFI 系統已應用於超過 120 次流片，涵蓋從 28 奈米到 5 奈米的 7 個先進製程節點。此外，已有超過 60 個包含 DFI 內容的 PDF 特性分析載板完成流片。
DFI 系統是如何運作的？
DFI 系統是由嵌入設計中的專利 IP 單元，以及用於讀取這些 IP 單元電氣響應的專用高效能電子束硬體所組成。兩者結合，有助於識別會限制良率、效能與可靠性的製程及佈局敏感性，從而預先洞察那些通常需數月後才能察覺或量測的設計問題，避免因這些問題導致耗資巨大的設計重做及延遲產品上市時間。
高效能、直線式電子束檢測
我們的專利 IP 單元，會透過非接觸式電子束測試量測系統——eProbe® 150 和 250——在生產線中段進行讀取。這些系統目前已部署於全球多個據點，並積極應用於多個製程節點（22 奈米、14 奈米、7 奈米及 5 奈米）的良率學習。 eProbe 250 的吞吐量表現遠超過每小時 1 億個被測裝置 (DUT)，速度足以滿足線上檢測的需求。